در این مقاله، یک بررسی تحلیلی از خواص اپتیکی گرافیت در گستره ای از فوتون های کم انرژی بر اساس گذارهای الکترون ارایه می شود. ساختار نواری گرافیت توسط روش تنگ- بست در تقریب نزدیک ترین همسایه، با چشم پوشی از برهم کنش داخلی میان لایه های مختلف گرافیت بررسی می شود. همچنین، عبارت ساده ای برای چگالی حالتهای الکترونی و رسانندگی اپتیکی بدست می آید. سپس قسمت موهومی ثابت دی الکتریک گرافیت را به روش عددی محاسبه کرده و مشاهده می شود که طیف اپتیکی به روش تحلیلی و رفتار بدست آمده از نتایج محاسبات عددی با طیف تجربی از توافق بسیار خوبی برخوردار است.

در این مقاله اثر افزایش تخلخل و تغییرات میکروساختاری سطحی بر روی خواص اپتیکی و دی الکتریکی سیلیکان متخلخل بررسی شده است. تخلخل به عنوان یک ناهمواری سطحی در ابعاد میکرونی یا کوچکتر، که اثرات کوانتومی در فرایند جذب و انعکاس از سیلیکان متخلخل را نشان می دهد و نسبت به خواص اپتیکی سیلیکان کپه ای کاملا متفاوت است، در نظر گرفته می شود. ضرایب اپتیکی سیلیکان متخلخل در فرود عمود و در بازه طول موج 200nm£l£3000nm به روش کرامرز - کرونیگ به دست آمده است. تحلیل نتایج تجربی ما نشان می دهد که ساختار الکترونی و ضریب جذب و خواص دی الکتریکی سیلیکان متخلخل در بازه مرئی کاملا با سیلیکان متفاوت بوده و سیلیکان متخلخل در محدوده نور مرئی پاسخ اپتیکی دارد. تفاوت سیلیکان متخلخل با سیلیکان کپه ای برحسب نتایج به دست آمده از روش تقریب محیط موثر (EMA) به خوبی مشاهده می شود و قابل توجیه است. در روش تقریب محیط موثر، تخلخل حاصل در سیلیکان به عنوان یک محیط جدید ناهمگن از میکروساختارهای سیلیکانی همراه با حفره ها در نظر گرفته می شود.

در این مقاله رسانندگی الکتریکی یک سیستم ناپایدار نظریة QCD در دمای پایین بررسی شده است. یک راه مطالعه چنین سیستم هایی، اعمال یک میدان الکتریکی وابسته به زمان و بررسی رفتار زمانی خارج از تعادل سیستم است. اعمال میدان الکتریکی باعث تولید زوج های کوارک و آنتی کوارک از فاز محبوس QCD و ایجاد یک جریان الکتریکی می شود. با استفاده از رابطة بین شدت میدان الکتریکی اعمال شده و جریان الکتریکی حاصل از آن می توان رسانندگی الکتریکی نظریة میدان را به دست آورد. برای دست یابی به حل غیر اختلالی این سیستم ناپایدار وابسته به زمان، از یک مدل هولوگرافیک غیر بحرانی QCD استفاده شده است و تأثیر پارامترهایی نظیر شدت میدان الکتریکی، فرکانس اعمال میدان و چگالی بار بر روی رسانندگی الکتریکی مورد مطالعه قرار گرفته است. در نهایت، نتایج به دست آمده، با نتایج حاصل از سایر مدل ها مقایسه شده است.

فسفرین به عنوان یک بلور ناهمسانگرد توجه بسیاری را به خود جلب کرده است. از آنجا که ناهمسانگردی بلور به ویژگی های ناهمسانگرد و کاربردهای وسیعی می انجامد، ما نیز برآن شدیم که ویژگی های گرمایی این ماده را مورد بررسی قرار دهیم. در این مقاله ساختار نواری و طیف فونونی بلور تک لایه محاسبه شده و سپس با استفاده از روش دینامیک مولکولی، چگالی انرژی طیفی بدست آمده است. رسانندگی گرمایی فسفرین برای شاخه های مختلف فونونی بصورت مجزا محاسبه شده که نشان می دهد در راستای زیگزاگ شاخه LA و در راستای آرمچیر هر دو شاخه LA و TA نقش بسیار مهمی در رسانندگی گرمایی دارند. در بین شاخه های اپتیکی نیز B1g بیشترین تاثیر را در رسانندگی در هر دو راستا دارند. از سوی دیگر رسانندگی گرمایی الکترونی نیز مورد محاسبه قرار گرفته و این ماده بعنوان یک ترموالکتریک خوب به صنعت معرفی می گردد.

چکیده در این کار با استفاده از محاسبات نظری به بررسی خواص ساختاری و اپتیکی مانند ضریب شکست، ضریب خاموشی، ضریب جذب، ضریب بازتاب و رسانندگی اپتیکی ترکیب کلکوژنیدی Ag2SiS3 که دارای ساختار کریستالی مونوکلینیک می باشد، پرداخته می شود. در این کار از نظریۀ تابعی چگالی در تقریب LDA با روش شبه پتانسیل استفاده شده است که از نمودار چگالی حالت ها مقدار گاف نواری را eV 2/1،eV 4/1 و eV 37/2 به ترتیب در تقریب LDA، LDA+U و HSE با شبه پتانسیل بار پایسته بدست آمد. همچنین مقدار مدول حجمی نیز بترتیب GPa 81 در LDA و GPa 4/79 در LDA+U و GPa 5/76 در HSE به دست آمده است. در نهایت به بررسی خواص اپتیکی مانند ضریب شکست، ضریب خاموشی، ضریب جذب ، ضریب بازتاب و رسانندگی اپتیکی پرداخته شد که از بررسی خواص اپتیکی مقدار گاف اپتیکی که از ضریب جذب به دست می آید با مقدار گاف نواری انطباق خوبی دارد که مقدار ضرایب اپتیکی در راستاهای مختلف به دلیل ناهمسانگرد بودن ساختار، متفاوت است. مقدار گاف اپتیکی که از نمودار ضریب جذب خوانده شد در تقریب LDA، LDA+U و HSE به ترتیب eV 27/1 ، eV 4/1 و eV 37/2 به دست آمده از بررسی های اپتیکی مشخص گردید این ترکیب دارای قابلیت خوبی برای کاربرد در سلول خورشیدی و مواد اپتوالکترونیک است.

در این مقاله، خواص اپتیکی و ظرفیت گرمایی نانوتیوب های کربنی آلاییده با اتم نیتروژن در حضور میدان الکتریکی خارجی، با استفاده از روش تابع گرین در تقریب تنگ بست بررسی شده است. افزودن ناخالصی و اعمال میدان های خارجی باعث ایجاد تغییرات در چگالی حالت ها، خواص اپتیکی، رسانندگی الکتریکی و هدایت گرمایی نانوتیوب های کربنی می شود. گاف انرژی با افزایش اندازه میدان الکتریکی کاهش یافته و به صفر می رسد و این اثرات در نانوتیوب های با شعاع بزرگ تر بیشتر است. تعداد و انرژی قله ها در طیف چگالی حالت ها و طیف اپتیکی به مقدار میدان الکتریکی و درصد ناخالصی بستگی دارد. در این دسته از نانوتیوب ها، رسانندگی الکتریکی و هدایت گرمایی با دما افزایش یافته و پس از رسیدن به مقدار بشینه مجدداً کاهش می یابد. در حضور میدان، رفتار نانوتیوب های خالص و آلاییده متفاوت است. در محدوده دمایی بزرگ، با افزایش درصد ناخالصی و افزایش شدت میدان، مقدار پارامترهای محاسبه شده برای نانوتیوب های خالص و آلاییده کاهش می یابد.

در این مقاله، نانوساختار میله ای شکل اکسید روی اولیه و دوپ شده با ذرات نیکل روی زیر لایه سیلیکون، به روش لایه نشانی لیزر پالسی (PLD) رشد داده شد. ویژگی های مورفولوژی، اپتیکی و الکتریکی نمونه ها با تکنیک های مختلف بررسی شد. تصویر مورفولوژی سطح زیر لایه نشان می دهد که نانومیله ها در جهت های کاتوره ای رشد یافته اند. ویژگی های اپتیکی مانند، میزان عبور نور، شکاف باند و فوتولومینسانس نمونه ها انجام شد. افزایش شکاف باند از 18/3 به 26/3 الکترون ولت و همچنین افزایش میزان عبور نور در نمودار اکسید روی دوپ شده با نیکل مشاهده می شود. طیف فوتولومینسانس (PL) نمونه ها برای مطالعه عیوب در ساختارهای رشد داده شده، انجام گرفت. در طیف PL نمونه ها، دو قله 410 و 482 نانومتر نمایان است، که می تواند ناشی از تهی جای اکسیژن باشد. همچنین، عیوبی مانند تهی جای اکسیژن با توجه به قله های نمودار رمان (raman)، قابل مشاهده است. در نمودار رسانندگی بر حسب دما، برای دماهای بالای 300 درجه سانتیگراد، افزایش رسانندگی و حامل های بار قابل توجه است. نتایج نشان می دهد که اکسید روی دوپ شده با ذرات نیکل، ویژگی های اپتیکی ZNO را افزایش داده و کاندیدای مناسبی برای کاربردهای اپتیکی - الکتریکی است.

اخیرا خواص حرارتی نانوساختارهای نیمرسانا و ابرشبکه هاتوجه زیادی را به دلائل زیر به خود معطوف کرده است. اولا کاهش پیوسته ابعاد مدارها و افزاره های میکروالکترونیک که باعث افزایشی در توان اتلافی در واحد سطح تراشه ی نیمه هادی می شود. در نتیجه تاثیر آثار اندازه روی رسانش گرمایی برای طراحی افزاره و قابلیت اعتماد به آن بسیار حائز اهمیت خواهد بود. ثانیا طراحی و ساخت دستگاه های دو بعدی چاه کوانتومی نیمه هادی ناهمگون منجر به کاهش رسانش گرمایی و بهبود کارائی ترموالکتریکی آنها می شود. در این کار پژوهشی خواص گرمایی یک ساختار دوبعدی نیمه هادی مانند چاه کوانتومیSi و Ge با لحاظ نرخ واهلش فونون در فرآیندهای پراکندگی واگرد، پراکندگی مرزی و پراکندگی اختلاف جرم را بررسی کرده و رسانش گرمایی را محاسبه و رسم کردیم. مشاهده گردید که هدایت حرارتی می تواند با تنظیم ضخامت لایۀ جداگر تعدیل شود. همچنین نتایج محاسبات نشان می دهد که هدایت حرارتی چاه کوانتومی نمونه در حدود یک مرتبه کمتر از انبوهۀ مشابه اش است. نتایج ما با داده های نظری و تجربی اخیر توافق دارد.

در این مقاله به تحلیل دقیق رسانندگی گرمایی k نیمرسانایGan  با ساختار وورتسایت در گستره پهن دمایی 5 تا 300 کلوین می پردازیم. تحلیل ما نشان می دهد که بر مبنای مدل گرمای ویژه دبای این ماده از دمای مشخصه 616 کلوین برخوردار است. این کمیت بر احتمال وقوع فرآیندهای پراکندگی واگرد (µ) فونون-فونون که ساز و کار غالب در دماهای بالاتر از 150 کلوین در این ماده است تاثیر دارد. در دماهای پایینتر به ترتیب پراکندگیهای ناشی از ناخالصی ها و دررفتگی های بلوری فرآیندهای غالب پراکندگی فونونها هستند. اگرچه قله رسانندگی (kmax) در یک نمونه گزارش شده توسط جزوسکی و همکاران که از بالاترین مقدار (در حدود W.cm-1. k-1 17) در نمونه های گزارش شده تا کنون برخوردار است پیش بینی می شود با یک مرتبه بزرگی کاهش در تراکم دررفتگی ها و ناخالصی ها باهم، این مقدار 10 برابر افزایش یابد.